Южнокорейская компания SK hynix первой в мире запустила в производство пятое поколение оперативной памяти DDR5 DRAM. Производитель утверждает, что новые модули ОЗУ стандарта DDR5 отличаются высокой плотностью и скоростью микросхем, оптимизированных для работы с «большими данными», а также с программами машинного обучения и платформами искусственного интеллекта.
О намерении создать первую в истории 16-гигабитную оперативную память SK hynix объявила в 2018 году. Для полноценного запуска серийного производства нового поколения ОЗУ DDR5 DRAM компании было необходимо организовать продуктивное сотрудничество с крупнейшими международными партнёрами вроде Intel и AMD, чтобы в будущем те могли представить на рынке продукцию, совместимую с оперативной памятью нового поколения.
В то же время SK hynix проводила многочисленные испытания нового стандарта памяти на лабораторных системах, чтобы характеристики и функционал нового стандарта соответствовал требования комитета инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC. Кроме того, специалисты компании позаботились о том, чтобы все ключевые компоненты, контролирующие питание и производительность DRAM, например, RCD (регистровый драйвер) оставались совместимыми и с новыми модулями DDR5. Свой вклад в развитие экосистемы оперативной памяти нового поколения сделали также компании Synopsys, Renesas, Montage Technology и Rambus.
В официальном пресс-релизе SK hynix сообщается, что оперативная память пятого поколения DDR5 DRAM поддерживает скорость передачи данных в 4800–5600 Мбит/с на контакт. По этому показателю новинка в 1,8 раза опережает своего предшественника DDR4. Согласно пресс-релизу, на максимальной скорости DDR5 может передавать 9 full-HD фильмов по 5 ГБ каждый в секунду. При этом производитель отмечает снижения вольтажа до 1,1 В против 1,2 В у поколения DDR4. Это значит, что энергопотребление нового поколения оперативной памяти было снижено на 20%.
SK hynix также акцентировала внимание на усовершенствованной системе коррекции ошибок ECC. В обновлённом виде чип памяти сможет автоматически распознавать и исправлять однобитные ошибки/изменения, спонтанно возникшие в промежутке между записью и чтением. По словам производителя, с новой системой ECC DDR5 DRAM будет в 20 раз надёжнее решений предыдущих поколений. Кроме того, фирменная технология Through Silicon Via (TSV) позволила увеличить максимальный объём индивидуальных модулей до 256 ГБ. TSV лежит в основе создания трёхмерных интегральных схем с вертикальным электрическим соединением, проходящим сквозь слои полупроводниковых пластин. Помимо повышения плотности памяти, эта технология существенно сокращает общую длину соединений внутри сети, что благоприятно сказывается на производительности и потреблении энергии.
Компания выражает искреннюю надежду, что новый стандарт памяти с повышенной надёжностью и пониженным энергопотреблением станет идеальным вариантом экологически безопасной полупроводниковой памяти. Первое время после запуска производства SK hynix сконцентрируется на стремительно растущих потребностях рынка серверов премиум-класса. По оценкам экспертов, к потребительскому сегменту DDR5 DRAM доберётся не ранее середины 2021 – начала 2022 года, предположительно, с появлением новых сокетов Intel LGA1700 ки AMD AM5. Ожидается, что к 2024 году новое поколение ОЗУ охватит около 43% рынка. Тем временем, вероятнее всего, уже в скором времени о запуске производства аналогичных решений оперативной памяти мы услышим и от таких техногигантов, как Samsung и Micron Technology.