В рамках конференции Hot Chips 33 южнокорейский техногигант Samsung представил первый в истории модуль оперативной памяти DDR5-7200 ёмкостью 512 Гбайт, предназначенный для серверных и корпоративных задач. Это большой шаг вперёд от коммерческих модулей на 256 Гбайт, которыми представлены топовые предложения современного рынка.
Производство модулей DDR5-7200 на 512 Гбайт возможно благодаря использованию восьмислойных стэков кристаллов DDR5, реализованных при помощи технологии Through Silicon Via (TSV), которая позволяет создавать трёхмерные интегральные схемы с вертикальным электрическим соединением. Несмотря на восьмислойную компоновку, готовый стэк микросхем DDR5 оказался тоньше образцов типа DDR4: 1,0 мм в сравнении с 1,2 мм. Высоту стэка позволили снизить новые техники наложения слоёв, которые сокращают промежуток между кристаллами до 40%. В дополнение к повышению плотности памяти технология TSV значительно сокращает общую длину внутренней сети, что благотворно сказывается на производительности и энергопотреблении. К слову, новый модуль DDR5-7200 работает при сниженном до 1,1 В вольтаже против стандартного для DDR4 напряжения 1,2 В. Повышению энергоэффективности модуля памяти также способствует внедрение интегральных схем управления питанием (PMIC), регулятора напряжения и подзатворных диэлектриков High-K Metal.
Производитель сообщил о повышении производительности шины памяти на 10% за счёт функции Same-Bank Refresh, которая реализуют циклы обновления DRAM в банках не одновременно, но поочерёдно, сохраняя доступ системы к остальным банкам. Кроме того, компания Samsung реализовала поддержку схемы Decision Feedback Equalization (DFE), задача которой заключается в подавлении помех в каналах памяти для улучшения качества сигналов. В модулях DDR5-7200 также реализована коррекция ошибок на уровне кристаллов при помощи технологии On-Die Error Correction Code (ODECC).
Что касается таймингов, производитель утверждает, что модуль DDR5-7200 будет работать по стандартам JEDEC, однако пока профильный комитет не спешит публиковать соответствующие спецификации. Последний актуальный стандарт утверждён для модулей DDR5-6400, выглядит он следующим образом: 46-46-46 для DDR5-6400A либо 56-56-56 для DDR5-6400C. Учитывая тенденцию к увеличению латентности по мере нарастания пропускной способности, предположительно, тайминги модуля DDR5-7200 составят от 50-50-50 до 60-60-60.
Бесспорно, модули DDR5-7200 на 512 Гбайт не предназначены для рядовых пользователей, и потребительские платформы, скорее всего, получат модули DDR5 с максимальным объёмом до 64 Гбайт на планку. С появлением модулей DDR4 на 32 Гбайта рядовые пользователи могли подключить к домашней системе до 128 Гбайтов оперативной памяти, а внедрение нового стандарта увеличит этот показатель вдвое. Впрочем, специалисты Samsung считают, что массовое распространение DDR5 на рынке состоится не ранее 2023 – 2024 года. Тем временем первые мейнстримные CPU с поддержкой DDR5 – процессоры фирмы Intel 12-го поколения Alder Lake – дебютируют уже осенью 2021 года. В свою очередь старт серийного производства модулей DDR5-7200 ёмкостью 512 Гбайт запланирован на конец 2021 года.