Архів позначки: GAAFET

Samsung создали прототип GAAFET с техпроцессом 3 нм

Гонка за снижением техпроцесса доставила массу трудностей производителям чипов, и на данный момент пределом достигнутого и реализуемого в массы можно считать 7 нм. Много прогнозов от производителей уже на ближайшее будущее выглядит весьма оптимистично, к примеру, те же Qualcomm обещают выпустить свой процессор для мобильных устройств Snapdragon 875 уже на 5 нм. Многие скептики утверждают, что такой переход может занять целые годы, но в то же время компания Samsung уже создала прототип полупроводников GAAFET на 3 нм! Продовжувати читання Samsung создали прототип GAAFET с техпроцессом 3 нм